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RN1310

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuit ?Withbuilt-inbiasresistors ?Simplifycircuitdesign ?Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocessandminiaturize equipment. ?Variousresistancevaluesareavailabletosuitvariouscircuitdesigns. ?Complem

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

RN1310

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

RN1310_07

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

RN1310(TE85L,F)

Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310,LF

Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310,LXHF

Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 描述：AUTO AEC-Q NPN BRT, Q1BSR=4.7K,

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

詳細參數(shù)

  • 型號：

    RN1310

  • 功能描述：

    開關晶體管 - 偏壓電阻器 INCORRECT MOUSER P/N 4.7Kohms

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多RN1310供應商 更新時間2025-7-24 14:14:00

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