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VBE1303

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBE1303

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBE1303A

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBE1303A

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

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N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

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VBFB1303

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RN1303(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    SC-70

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
08+
SOT323
1086
原裝現(xiàn)貨、真實庫存
詢價
TOSHIBA/東芝
23+
SOT323
9800
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十
詢價
TOSHIBA/東芝
23+
SOT323
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
Toshiba Semiconductor and Stor
2022+
USM
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
TOSHIBA/東芝
24+
NA/
6150
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
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24+
N/A
51000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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TOSHIBA(東芝)
23+
SOT-323
129000
三極管/MOS管/晶體管 > 三極管(BJT)
詢價
TOSHIBA(東芝)
2025+
SOT-323
12420
詢價
TOSHIBA/東芝
24+
SOT323
60000
詢價
TOSHIBA
1809+
SOT-323
16750
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更多RN1303(TE85L,F)供應商 更新時間2025-7-23 14:03:00