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首頁(yè)>RN1115MFV>規(guī)格書詳情

RN1115MFV數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

RN1115MFV

參數(shù)屬性

RN1115MFV 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

功能描述

Bias resistor built-in transistor (BRT)

封裝外殼

SOT-723

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會(huì)社東芝

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-24 16:49:00

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RN1115MFV規(guī)格書詳情

描述 Description

Application Scope:General-purpose
Polarity:NPN
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN2115MFV
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰國(guó)

特性 Features

Collector Current IC 0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO 50 V

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :RN1115MFV

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Package name

    :SOT-723 (VESM)

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.2 x 1.2 x 0.5

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Polarity

    :NPN

  • Internal Connection

    :Single

  • Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)

    :2.2

  • Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)

    :10

  • Q1VCEO (Max)(V)

    :50

  • Q1IC (Max)(A)

    :0.1

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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