RN1114MFV分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
RN1114MFV |
| 參數(shù)屬性 | RN1114MFV 封裝/外殼為SOT-723；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
| 功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) |
| 封裝外殼 | SOT-723 |
| 文件大小 |
786.43 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-1 15:41:00 |
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RN1114MFV規(guī)格書詳情
Switching Applications
Inverter Circuit Applications
Interface Circuit Applications
Driver Circuit Applications
? With built-in bias resistors
? Simplify circuit design
? Reduce a quantity of parts and manufacturing process
? Complementary to RN2114MFV to RN2118MFV
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
RN1114MFV,L3F
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN - 預偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 250μA，5mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SOT-723
- 供應商器件封裝：
VESM
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA(東芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
TOS |
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TOSHIBA |
24+ |
SOD523 |
80000 |
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TOSHIBA |
1725+ |
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Toshiba |
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TOSHIBA/東芝 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/東芝 |
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