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RN1110ACT數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

RN1110ACT

參數(shù)屬性

RN1110ACT 封裝/外殼為SC-101,SOT-883;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

功能描述

Bias resistor built-in transistor (BRT)

封裝外殼

SC-101,SOT-883

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會社東芝

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-25 8:02:00

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RN1110ACT規(guī)格書詳情

描述 Description

Application Scope:General-purpose
Polarity:NPN
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN2110ACT
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰國

特性 Features

Collector Current IC 0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO 50 V

技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號:

    RN1110ACT(TPL3)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-101,SOT-883

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CST3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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