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RN1108MFV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN1108MFV
廠商型號(hào)

RN1108MFV

參數(shù)屬性

RN1108MFV 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

功能描述

Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor)

封裝外殼

SOT-723

文件大小

468.41 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-5 21:28:00

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RN1108MFV規(guī)格書詳情

Applications

? Switching

? Inverter Circuits

? Interfacing

? Driver Circuits

特性 Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) Ultra-small package, suited to very high density mounting

(3) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce

system size and assembly time.

(4) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accommodate various circuit designs.

(5) Complementary to RN2107MFV to 2109MFV

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RN1108MFV,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    VESM

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA
20+
SOT723
32970
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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TOSHIBA/東芝
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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TOSHIBA/東芝
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電子元器件采購(gòu)降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià)
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Toshiba Semiconductor and Stor
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