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RN1107MFV,L3XHF(CT_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-單預偏置-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：RN1107MFV,L3XHF(CT品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=

RN1107MFV,L3XHF(CT是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SOT-723的RN1107MFV,L3XHF(CT晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

  • 芯片型號：

    rn1107mfv,l3xhf(ct

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RN1107MFV,L3XHF(CT

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應商器件封裝：

    VESM

  • 描述：

    AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Toshiba
2025+
VESM-3
12420
詢價
Toshiba Semiconductor and Stor
25+
SOT-723
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
TOSHIBA
1645+
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6500
只做原裝進口,假一罰十
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TOSHIBA
25+23+
New
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絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
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TOSHIBA/東芝
23+
0402-3
50000
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
24+
0402-3
60000
全新原裝現(xiàn)貨
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TOSHIBA
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專做原裝正品,假一罰百!
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TOSHIBA/東芝
2022+
543000
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 詢價
TOSHIBA
24+
SOT-523
67789
新進庫存/原裝
 詢價

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