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RMP20N50TI

絲印:20N50;Package:TO-220F;N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES LowCrss Lowgatecharge Fastswitching ImprovedESDcapability Improveddvidtcapability 100%avalancheenergytest

RECTRON

Rectron Semiconductor

RECTRON

RMP20N50TI

MOSFET

RectronRectron Semiconductor

麗正

Rectron

SIHA20N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

SIHA20N50E

Consumerelectronics

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIHA20N50E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

技術(shù)參數(shù)

  • Id @ 25C (A):

    20 A

  • Rds-on (typ) (mOhms):

    230 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ:

    51 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W):

    45 W

  • Input Capacitance (Ciss):

    2410 pF

  • Polarity:

    N-Channel

  • Mounting Style:

    Through Hole

  • Package / Case:

    TO-220F

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多RMP20N50TI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 19:10:00