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RMD8N60S8中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RMD8N60S8
廠商型號

RMD8N60S8

功能描述

N-Channel Power MOSFET

絲印標(biāo)識

4846

封裝外殼

SOP-8

文件大小

938.24 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

RECTRON

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-12 11:25:00

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RMD8N60S8規(guī)格書詳情

General Features

Vds = 60V Id =8A

Rds(on) < 20m? @ Ves=10V ~ (Typ:15m?)

Rds(on) < 25m? @ Vos=4.5V (Typ:19.5m?)

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Low gate to drain charge to reduce switching losses

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SKYWORKS
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