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RM2N650IP數(shù)據(jù)手冊Rectron中文資料規(guī)格書

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廠商型號

RM2N650IP

功能描述

MOSFET

制造商

Rectron Rectron Semiconductor

中文名稱

麗正

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-12 20:57:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :RM2N650IP

  • 生產(chǎn)廠家

    :Rectron

  • Id @ 25C (A) :

    :2.0 A

  • Rds-on (typ) (mOhms) :

    :2200 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ :

    :3.2 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W) :

    :23 W

  • Vgs(th) (typ) :

    :3 V

  • Input Capacitance (Ciss) :

    :190 pF

  • Polarity :

    :N-Channel

  • Mounting Style :

    :Through Hole

  • Package / Case :

    :TO-251

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MITSUBISH
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