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RM12N650T2數(shù)據(jù)手冊(cè)Rectron中文資料規(guī)格書

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

RM12N650T2

功能描述

MOSFET

制造商

Rectron Rectron Semiconductor

中文名稱

麗正

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-9 9:50:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :RM12N650T2

  • 生產(chǎn)廠家

    :Rectron

  • Id @ 25C (A) :

    :11.5 A

  • Rds-on (typ) (mOhms) :

    :360 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ :

    :24 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W) :

    :101 W

  • Vgs(th) (typ) :

    :3.5 V

  • Input Capacitance (Ciss) :

    :1285 pF

  • Polarity :

    :N-Channel

  • Mounting Style :

    :Through Hole

  • Package / Case :

    :TO-220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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