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RM10N100LD中文資料麗正國際數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM10N100LD
廠商型號

RM10N100LD

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

10N100

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

418.13 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產廠商

RECTRON

中文名稱

麗正國際

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 20:00:00

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RM10N100LD規(guī)格書詳情

General Features

Vos =100Vl0 =10A

Rosin) < 130mQ @ Ves=10V _ (Typ:95m@)

Rosin) < 140mQ @ Vos=4.5V (Typ:100me))

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stabiity and uniformity with high Exs.

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capabilty

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MITSUBISHI/三菱
25+
原廠原封可拆樣
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