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RM100N60LD

Marking：100N06；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheRM100N60LDusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures VDS=65V,ID=100A RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

SIHA100N60E

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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FEATURES ?4thgenerationEseriestechnology ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Co(er)) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Kelvinconnectionforreducedgatenoise ?Materialcategorization:fordefinitionsofcomplianc

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更多RM100N60LD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 14:01:00

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