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RM003N600ES2中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM003N600ES2
廠商型號

RM003N600ES2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

127ZG

封裝外殼

SOT23

文件大小

161.06 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

RECTRON

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-6 23:00:00

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RM003N600ES2規(guī)格書詳情

描述 Description

The RM003N600ES2 is an enhancement N-channel mode Power

FET, it uses advanced tec hnology to provide customers ultra

high switching speed and ultra low gate charge.

General Features

* RDS(ON)< 600 @ VGS= 4.5V, ID=0.016A

RDS(ON)< 500 @ VGS=10V, ID=0.016A

* Ultra Low Gate Charge (Typical 140nC)

* Ultra High Switching Speed

* Halogen-free

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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