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RLF8N60CT

N-Channel Power MOSFET

Features RDS(ON)

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

RLFGB8N60CT

IGBT

Features ?600V,8A ?VCE(sat)(typ.)=1.8V@VGE=15V,IC=8A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms ?SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SIHJ8N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SLD8N60U

600VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半導(dǎo)體深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司

RLM12FTCMR005

TA-I/大毅
1206

TA-I/大毅

上傳：深圳兆威電子有限公司

TA-I/大毅

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更多RLF8N60CT供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 18:37:00

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