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RJP30H2

Trench gate and thin wafer technology

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP30H2DPK-M0

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.4Vtyp ●Highspeedswitching:tf=100nstyp,tf=180nstyp ●Lowleakcurrent:ICES=1?Amax

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP30H2DPK-M0-T2

Silicon N Channel IGBT High speed power switching;

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)\n\n*? Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.4 V typ\n\n*? High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ\n?*? Low leak current: ICES= 1 ?A max

RenesasRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP30H2A

Trench gate and thin wafer technology

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP30H2DPK-M0

Trench gate and thin wafer technology

RENESASRenesas Technology Corp

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RJP30H2DPK-M0

Silicon N Channel IGBT High speed power switching;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP30H2DPK-M0-11

Trench gate and thin wafer technology;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP30H2DPK-M0-11

Trench gate and thin wafer technology

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    RJP30H2

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Renesas(瑞薩)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7643
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
2022+
38
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
TO-220F
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
TO-220F
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
TO-220F
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
RENESAS
23+
TO-263
328
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
RENESAS
20+
TO-263
328
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價(jià)
RENESAS
25+
TO-263
8800
公司只做原裝,詳情請(qǐng)咨詢
 詢價(jià)
RENESAS
24+
TO-263
16900
原裝正品現(xiàn)貨支持實(shí)單
 詢價(jià)
RENESAS
2511
TO-263
328
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià)
 詢價(jià)
更多RJP30H2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 23:58:00

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