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RJP30H1DPP-M0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

RJP30H1DPP-M0
廠商型號(hào)

RJP30H1DPP-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

157.32 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS瑞薩

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
RENESAS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-2 23:00:00

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RJP30H1DPP-M0規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.

● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

● Low leak current: ICES = 1 ?A max.

● Isolated package TO-220FL

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RJP30H1DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱(chēng):

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS/瑞薩
24+
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原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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