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600V-12A-SJMOSFETHighSpeedPowerSwitching *SuperjunctionMOSFET *Lowon-resistance *RDS(on)=0.35?typ.(atID=6A,VGS=10V,Ta=25?C) *Highspeedswitching tf=21nstyp.(atID=6A,VGS=10V,RL=50?,Rg=10?,Ta=25?C) | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
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