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RJK03C1DPB中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJK03C1DPB
廠商型號

RJK03C1DPB

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

文件大小

268.92 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-19 23:00:00

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RJK03C1DPB規(guī)格書詳情

Features

? High speed switching

? Capable of 4.5 V gate drive

? Low drive current

? High density mounting

? Low on-resistance

RDS(on) = 1.7 mΩ typ. (at VGS = 10 V)

? Pb-free

? Halogen-free

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJK03C1DPB

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
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