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RJK0303DPB	文件：123.9 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJK0303DPB-00-J0	文件：123.9 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RKR0303AKJ	文件：60.02 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features ?Lowforwardvoltagedropandsuitableforhighefficiencyrectifying. ?UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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RKR0303BKJ	文件：199.35 Kbytes Page：8 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features ?Lowreversecurrentdropandsuitableforhighefficiencyrectifying. ?UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RQJ0303PGDQA	文件：105.05 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RQJ0303PGDQA	文件：90.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETPowerSwitching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=54mΩtyp(VGS=–10V,ID=–1.6A) ?Lowdrivecurrent ?Highspeedswitching ?4.5Vgatedrive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RQJ0303PGDQATL-E	文件：90.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETPowerSwitching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=54mΩtyp(VGS=–10V,ID=–1.6A) ?Lowdrivecurrent ?Highspeedswitching ?4.5Vgatedrive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RQJ0303PGDQATL-E	文件：1.04731 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
RJK0303DPB
制造商：
RENESAS
制造商全稱：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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深圳市科雨電子有限公司	RJK0303DPB	RENESAS/瑞薩	08+	LFPAK	594	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
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