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RJH65T14DPQ-A0數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

RJH65T14DPQ-A0

參數(shù)屬性

RJH65T14DPQ-A0 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

功能描述

IGBT 650V 50A TO-247A Built-In FRD

封裝外殼

TO-247-3

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名稱

瑞薩 瑞薩科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-14 8:02:00

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RJH65T14DPQ-A0規(guī)格書詳情

描述 Description

Schematic symbols, PCB footprints, and 3D CAD models from SamacSys can be found by clicking on products in the Product Options table. If a symbol or model isn't available, it can be requested directly from the website.

特性 Features

? Optimized for current resonance application
? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.45 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 °C)
? Built in fast recovery diode in one package
? Trench gate and thin wafer technology

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :RJH65T14DPQ-A0

  • 生產(chǎn)廠家

    :Renesas

  • Pkg. Type

    :TO-247A

  • VCES (V)

    :650

  • Ic (Peak) (A)

    :180

  • IC @25 °C (A)

    :100

  • IC @100 °C (A)

    :50

  • VCE (sat) (V)

    :1.45

  • tf (Typical) (μs)

    :0.115

  • FRD Vf (V)

    :1.2

  • FRD trr (ns)

    :250

  • Pc (W)

    :250

  • Configuration

    :Built-In FRD

  • Series Name

    :65T1x Series

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Renesas/瑞薩
兩年內(nèi)
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355680
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