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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V, | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
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