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SiliconNChannelIGBTcation:Inverter SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter Features Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.7Vtyp.(atIC=12A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage Trenchgateandthinwa | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
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