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首頁(yè)>RGS30TSX2D>規(guī)格書(shū)詳情

RGS30TSX2D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RGS30TSX2D
廠商型號(hào)

RGS30TSX2D

參數(shù)屬性

RGS30TSX2D 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12

功能描述

1200V 15A Field Stop Trench IGBT

絲印標(biāo)識(shí)

RGS30TSX2D

封裝外殼

TO-247N / TO-247-3

文件大小

1.61547 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ROHM

中文名稱

羅姆

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-12 23:01:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RGS30TSX2DHRC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,15A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    740μJ(開(kāi)),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    30ns/70ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247N

  • 描述:

    10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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