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RFM03U3CT中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

RFM03U3CT
廠商型號(hào)

RFM03U3CT

功能描述

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

文件大小

175 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-6 23:00:00

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RFM03U3CT規(guī)格書(shū)詳情

VHF- and UHF-band Amplifier Applications

(Note) The TOSHIBA products listed in this document are intended for high

frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.. These

TOSHIBA products are neither intended nor warranted for any other use.

Do not use these TOSHIBA products listed in this document except for

high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.

? Output power: PO = 3 W (typ.)

? Gain: GP = 15 dB (typ.)

? Drain efficiency: ηD = 60 (typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RFM03U3CT

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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