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RFD16N05LSM

N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 16A, 47 m廓

TheseareN-ChannellogiclevelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogiclevel(5V)dri

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

RFD16N05LSM

MOSFET - Power, N-Channel, Logic Level 50 V, 16 A, 47 m

TheseareN?ChannellogiclevelpowerMOSFETsmanufactured usingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizes approachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilization ofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesigned forusewithlogiclevel(5V

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RFD16N05LSM

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

RFD16N05LSM

N 溝道邏輯電平功率 MOSFET 50V，16A，47mΩ; ?16A, 50V\n?rDS(ON)= 0.047Ω\n?UIS SOA等級(jí)曲線（單脈沖）\n?針對(duì)5V柵極驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的設(shè)計(jì)\n?可直接從CMOS、NMOS、TTL電路驅(qū)動(dòng)\n?SOA為有限功耗\n?納秒開關(guān)速度\n?線性傳遞特性\n?高輸入阻抗\n?多數(shù)載流子器件\n?相關(guān)文獻(xiàn)\n;

這些N溝道邏輯電平功率MOSFET使用MegaFET工藝制造。 這種工藝使用接近LSI集成電路的特征尺寸，優(yōu)化了硅原料利用率，可以帶來出色的性能。 這些器件設(shè)計(jì)用于邏輯電平(5V)驅(qū)動(dòng)源，適用于可編程控制器、車用開關(guān)、開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、電機(jī)繼電器驅(qū)動(dòng)器和雙極晶體管發(fā)射極開關(guān)等應(yīng)用。 這種性能通過一個(gè)特殊的柵極氧化設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)，在柵極偏置范圍為3V到5V時(shí)提供完整的額定電導(dǎo)，從而可以通過邏輯電路電源電壓直接實(shí)現(xiàn)真正的開-關(guān)電源控制。 以前的開發(fā)類型為TA09871。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RFD16N05LSM9A

N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 16A, 47 m廓

TheseareN-ChannellogiclevelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogiclevel(5V)dri

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

RFD16N05LSM9A

MOSFET - Power, N-Channel, Logic Level 50 V, 16 A, 47 m

TheseareN?ChannellogiclevelpowerMOSFETsmanufactured usingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizes approachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilization ofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesigned forusewithlogiclevel(5V

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RFD16N05LSM9A

絲印：16N05L；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET

Features VDS(V)=60V RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

RFD16N05LSM9A

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

RFD16N05SM

N 溝道，功率 MOSFET，50V，16A，47mΩ; ?16A, 50V\n?rDS(ON)= 0.047Ω\n?溫度補(bǔ)償式PSPICE模型\n?峰值電流與脈寬曲線\n?UIS額定值曲線\n?175°C工作溫度\n?相關(guān)文獻(xiàn)\n;

RFD16N05和RFD16N05SM N溝道MOSFET是利用MegaFET工藝制造而成的。 這種工藝使用接近LSI集成電路的特征尺寸，優(yōu)化了硅原料利用率，可以帶來出色的性能。 這些器件設(shè)計(jì)用于開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和繼電器驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用。 此類晶體管可以直接通過集成電路運(yùn)行。 以前的開發(fā)類型為TA09771。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RFD16N05SM

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    50

  • VGS Max (V)：

    ±10

  • VGS(th) Max (V)：

    2

  • ID Max (A)：

    16

  • PD Max (W)：

    60

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    50

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    43

  • Package Type：

    DPAK-3/TO-252-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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原裝
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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更多RFD16N05供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 17:06:00

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