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RF3L05200CB4中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RF3L05200CB4
廠商型號

RF3L05200CB4

功能描述

200 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

文件大小

1.69963 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-6 17:43:00

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RF3L05200CB4規(guī)格書詳情

特性 Features

? High efficiency and linear gain operations

? Integrated ESD protection

? Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C

operation

? In compliance with the European directive 2002/95/EC

描述 Description

The RF3L05200CB4 is a 200 W, 28/32 V, LDMOS FET designed for wideband

communication and ISM applications in the frequency range from HF to 1 GHz. It can

be used in class AB, B or C for all typical modulation formats.

Applications

? 2-30 MHz HF or short wave communication

? 30-88 MHz ground communication

? 118-140 MHz Avionics

? 136-174 MHz commercial ground communication

? 30-512 MHz Jammer, ground/air communication

? HF to 1000 MHz ISM - instrumentation

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NA
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原廠原封可拆樣
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百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成
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原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng)特價(jià),原裝元器件供應(yīng),支持開發(fā)樣品更多詳細(xì)咨詢庫存
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