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RF101

Fast recovery Diodes (Silicon Epitaxial Planar)

Features 1)UltralowVFveryfastrecovery 2)Fastrecovery 3)Lowswitchingloss 4)StandardpackageTO-220FN,CPD Applications Highfrequencyrectification

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RF101A2S

Fast recovery diode

Features 1)Cylindricalmoldtype.(MSR) 2)UltraLowVF. 3)Ultrahighswitching. 4)Lowswitchingloss. 5)HighESD. Applications Generalrectification

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RF101L2S

絲印：1A；Package：PMDS；Fast recovery Diodes (Silicon Epitaxial Planar)

Features 1)UltralowVFveryfastrecovery 2)Fastrecovery 3)Lowswitchingloss 4)StandardpackageTO-220FN,CPD Applications Highfrequencyrectification

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RF101L2S

Fast recovery diode

Features 1)UltralowVFveryfastrecovery 2)Fastrecovery 3)Lowswitchingloss 4)StandardpackageTO-220FN,CPD Applications Highfrequencyrectification

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RF101L2S

Fast Recovery Diodes; ?小型功率塑膠型(PMDS)。\n?低VF、高速開關(guān)、低開關(guān)損失品。\n;

羅姆的快速恢復(fù)二極管具有超高速且低VF、有利于大幅提高開關(guān)電源効率,降低功率損失。

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RF101L2STE25

Fast Recovery Diode

Features 1)Smallpowermoldtype.(PMDS) 2)UltralowVF 3)Ultrahighswitchingspeed 4)Lowswitchingloss Applications Generalrectification

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RF101L4S

Fast recovery diode

Features 1)Smallpowermoldtype(PMDS) 2)UltralowVF 3)Ultrahighswitchingspeed 4)Lowswitchingloss Applications Generalrectification

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RF1010

SAW Filter

REYCONNSREYCONNS CHINA LIMITED

來億中國來億中國有限公司

RF1011

SAW Filter

REYCONNSREYCONNS CHINA LIMITED

來億中國來億中國有限公司

RF1018

智能音頻模組; CSR8645Bluetooth 4.1VCC： 3.0~4.2VSPK： 喇叭接口MIC： 模擬MICLED： 紅藍燈模組尺寸:30.5*6.7*3.0mm;

ETC

ETC

技術(shù)參數(shù)

  • Package Code：

    DO-214AC(SMA)

  • Package Size[mm]：

    5.0x2.6(t=2.0)

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • Number of terminal：

    2

  • VRM[V]：

    200

  • Reverse Voltage VR[V]：

    200

  • Average Rectified Forward Current IO[A]：

    1.0

  • IFSM[A]：

    20.0

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]：

    0.87

  • IF @ Forward Voltage [A]：

    1.0

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]：

    0.01

  • VR @ Reverse Current [V]：

    200

  • trr(Max.)[ns]：

    25

  • IF @ trr [mA]：

    500

  • IR @ trr [A]：

    1.0

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

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