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RBN75H65T1FPQ-A0數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

RBN75H65T1FPQ-A0

參數(shù)屬性

RBN75H65T1FPQ-A0 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:ABU / IGBT

功能描述

IGBT 650V 75A TO-247A Built-In FRD

封裝外殼

TO-247-3

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名稱

瑞薩 瑞薩科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 8:48:00

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RBN75H65T1FPQ-A0規(guī)格書詳情

描述 Description

Schematic symbols, PCB footprints, and 3D CAD models from SamacSys can be found by clicking on products in the Product Options table. If a symbol or model isn't available, it can be requested directly from the website.

特性 Features

? Trench gate and thin wafer technology (G8H series)
? Built in fast recovery diode in one package
? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
? Quality grade: Standard
? High-Speed switching
? Non-specification for short circuit
? Applications: UPS, Welding, photovoltaic inverters, Power converter system

應(yīng)用 Application

? 交流變頻器/GP 逆變器解決方案

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :RBN75H65T1FPQ-A0

  • 生產(chǎn)廠家

    :Renesas

  • Pkg. Type

    :TO-247A

  • VCES (V)

    :650

  • Ic (Peak) (A)

    :300

  • IC @25 °C (A)

    :150

  • IC @100 °C (A)

    :75

  • VCE (sat) (V)

    :1.5

  • tf (Typical) (μs)

    :0.037

  • FRD Vf (V)

    :1.7

  • FRD trr (ns)

    :72

  • Pc (W)

    :312

  • Configuration

    :Built-In FRD

  • Series Name

    :RBNxxH65T1 Series

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
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