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RBLQ20NL10SFH中文資料Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive數(shù)據(jù)手冊ROHM規(guī)格書
| 廠商型號 |
RBLQ20NL10SFH |
| 功能描述 | Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名稱 | 羅姆 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-8 23:01:00 |
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RBLQ20NL10SFH規(guī)格書詳情
描述 Description
The RBLQ20NL10SFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temperatures. Ideal for switching power supplies, freewheel diodes, and reverse polarity protection applications.
特性 Features
? High reliability
? Power mold type
? Low VF and low IR
? Low capacitance
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：RBLQ20NL10SFH
- 生產(chǎn)廠家
：ROHM
- 封裝
：LPDL
- 包裝數(shù)量
：1000
- 最小獨(dú)立包裝數(shù)量
：1000
- 包裝形態(tài)
：Taping
- RoHS
：Yes
- Configuration
：Single
- Package Code
：TO-263L
- Number of terminal
：3
- VRM[V]
：100
- Reverse Voltage VR[V]
：100
- Average Rectified Forward Current IO[A]
：20
- IFSM[A]
：200
- Forward Voltage VF(Max.)[V]
：0.86
- IF @ Forward Voltage [A]
：20
- Reverse Current IR(Max.)[mA]
：0.08
- VR @ Reverse Current[V]
：100
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：10.1x15.1 (t=4.7)
- Common Standard
：AEC-Q101 (Automotive Grade)
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RECOM |
24+ |
NA/ |
3436 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
Rohm Semiconductor |
25+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
RECOM |
2021+ |
SIP |
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