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RA30H3847M1A數(shù)據(jù)手冊MITSUBISHI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

RA30H3847M1A
功能描述

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H3847M1A
制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor
中文名稱

三菱電機 三菱電機株式會社
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-15 16:12:00
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技術參數(shù)

  • 制造商編號

    ：RA30H3847M1A

  • 生產(chǎn)廠家

    ：MITSUBISHI

  • Drain Voltage Typ

    ：12.5V

  • Frequency (Min - Max)

    ：378～470MHz

  • Output Power

    ：30W

  • Package

    ：H2M(A)

  • Input Power Typ

    ：50mW

  • Drain Efficiency (Min)

    ：40%

  • Feature

    ：VGS1，VGD2 Separation type

  • RoHS Directive

    ：2011/65/EU RoHS2 Compliant

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MITSUBI
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MITSUBISHI
23+
H2S
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 詢價

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