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R6535ENZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪聲規(guī)格 Nch 650V 35A 功率MOSFET; ? Low on-resistance\n? Fast switching speed\n? Parallel use is easy\n? Pb-free plating ; RoHS compliant\n; R6xxxENx系列是重視易用性，以低噪聲性能為特點的Super Junction MOSFET產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品可在音響和照明等需要盡可能抑制噪聲的應用中實現(xiàn)高性能。	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
R6535ENZ	文件：309.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
R6535ENZ4	文件：1.76028 Mbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/r6535enz4/marking.html">R6535ENZ4；Package：TO-247G；Nch 650V 35A Power MOSFET lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
R6535ENZ4	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪聲規(guī)格 Nch 650V 35A 功率MOSFET; ? Low on-resistance\n? Fast switching speed\n? Parallel use is easy\n? Pb-free plating ; RoHS compliant\n; R6xxxENx系列是重視易用性，以低噪聲性能為特點的Super Junction MOSFET產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品可在音響和照明等需要盡可能抑制噪聲的應用中實現(xiàn)高性能。	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
R6535ENZ1	文件：347.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
R6535KNZ	文件：309.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
RF6535	文件：1.00164 Mbytes Page：8 Pages	3.0Vto4.2V,2.4GHzFrontEndModule	RFMDRF Micro Devices 威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導體(德州)有限公司	RFMD
RF6535SQ	文件：1.00164 Mbytes Page：8 Pages	3.0Vto4.2V,2.4GHzFrontEndModule	RFMDRF Micro Devices 威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導體(德州)有限公司	RFMD
RF6535SR	文件：1.00164 Mbytes Page：8 Pages	3.0Vto4.2V,2.4GHzFrontEndModule	RFMDRF Micro Devices 威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導體(德州)有限公司	RFMD
S6535	文件：161.96 Kbytes Page：1 Pages	CopperandAluminumLay-InConnectors	HeycoHeyco. ?？?/span>	Heyco

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技術(shù)參數(shù)

封裝：
TO-3PF
包裝數(shù)量：
300
最小獨立包裝數(shù)量：
30
包裝形態(tài)：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-3PF
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
650
Drain Current ID[A]：
35
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.098
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.098
Total gate charge Qg[nC]：
110
Power Dissipation (PD)[W]：
102
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
720
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
15.5x26.5 (t=5.7)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多R6535ENZ供應商更新時間2025-7-28 17:55:00

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