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R41BN315050T1K數(shù)據(jù)手冊電容器的薄膜電容器規(guī)格書PDF

廠商型號 |
R41BN315050T1K |
參數(shù)屬性 | R41BN315050T1K 封裝/外殼為徑向;包裝為散裝;類別為電容器的薄膜電容器;R41BN315050T1K應(yīng)用范圍:汽車級;EMI,RFI 抑制;產(chǎn)品描述:CAP FILM 0.15UF 10% 1.5KVDC RAD |
功能描述 | 安規(guī)電容 |
封裝外殼 | 徑向 |
制造商 | Kemet KEMET Corporation |
中文名稱 | 基美 基美公司 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-14 8:24:00 |
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R41BN315050T1K規(guī)格書詳情
簡介
R41BN315050T1K屬于電容器的薄膜電容器。由制造生產(chǎn)的R41BN315050T1K薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF,電壓為 2.5 V 至 100 V,封裝尺寸為 0201 至 1210,容差為 ±0.01 pF 至 ±5%。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
:R41BN315050T1K
- 生產(chǎn)廠家
:Kemet
- 精度
:±10%
- 電壓(AC)
:350V
- 等級
:X1
- 工作溫度
:-40℃~+125℃
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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