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首頁(yè)>R2J20602NP>規(guī)格書(shū)詳情

R2J20602NP中文資料Integrated Driver - MOS FET (DrMOS)數(shù)據(jù)手冊(cè)Renesas規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

R2J20602NP

參數(shù)屬性

R2J20602NP 封裝/外殼為56-VFQFN 裸露焊盤(pán);包裝為托盤(pán);類(lèi)別為集成電路(IC)的全半橋驅(qū)動(dòng)器;R2J20602NP應(yīng)用范圍:降壓轉(zhuǎn)換器;產(chǎn)品描述:IC MOSFET DRVR 12V 40A 56-QFN

功能描述

Integrated Driver - MOS FET (DrMOS)

封裝外殼

56-VFQFN 裸露焊盤(pán)

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名稱(chēng)

瑞薩 瑞薩科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-8 15:19:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    R2J20602NP#G3

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 全半橋驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 輸出配置:

    半橋

  • 應(yīng)用:

    降壓轉(zhuǎn)換器

  • 接口:

    PWM

  • 負(fù)載類(lèi)型:

    電感

  • 技術(shù):

    DrMOS

  • 電流 - 峰值輸出:

    40A

  • 電壓 - 供電:

    7V ~ 7.8V

  • 電壓 - 負(fù)載:

    7V ~ 7.8V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 特性:

    狀態(tài)標(biāo)志

  • 故障保護(hù):

    限流,超溫,短路,UVLO

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    56-VFQFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    56-HVQFN(8x8)

  • 描述:

    IC MOSFET DRVR 12V 40A 56-QFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RenesasTechn
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