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R1LV0108E集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號	R1LV0108E
參數屬性	R1LV0108E 封裝/外殼為32-TFSOP（0.465"，11.80mm 寬）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP
功能描述	1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit)
封裝外殼	32-TFSOP（0.465"，11.80mm 寬）
文件大小	126.98 Kbytes
頁面數量	17 頁
生產廠商	RENESAS
中文名稱	瑞薩
網址	網址
數據手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-9-15 8:40:00
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R1LV0108E規(guī)格書詳情

描述 Description

The R1LV0108E Series is a family of low voltage 1-Mbit static RAMs organized as 131,072-word by 8-bit, fabricated by Renesas’s high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies. The R1LV0108E Series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The R1LV0108E Series is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives. It has been packaged in 32-pin SOP,32-pin TSOP and 32-pin sTSOP.

特性 Features

? Single 2.7~3.6V power supply

? Small stand-by current: 1μA (3.0V, typical)

? No clocks, No refresh

? All inputs and outputs are TTL compatible.

? Easy memory expansion by CS1# and CS2

? Common Data I/O

? Three-state outputs: OR-tie Capability

? OE# prevents data contention on the I/O bus

產品屬性

產品編號：
R1LV0108ESA-5SI#B1
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術：
SRAM
存儲容量：
1Mb（128K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
55ns
電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
32-TFSOP（0.465"，11.80mm 寬）
供應商器件封裝：
32-TSOP I
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
訊運(深圳/上海)電子有限公司	R1LV0108ESN-5SI#B1	RENESAS(瑞薩)/IDT	2021+	SOP-32	499		詢價
深圳市中賽美電子科技有限公司	R1LV0108ESA-7SI#S0	RENESAS/瑞薩	21+	TSSOP	7500	只做原裝所有貨源可以追溯原廠	詢價
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