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R10DS0229EJ0201中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

R10DS0229EJ0201
廠商型號(hào)

R10DS0229EJ0201

功能描述

8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit)

文件大小

340.54 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 23:00:00

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R10DS0229EJ0201規(guī)格書詳情

描述 Description

The RMLV0816BGBG is a family of 8-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 16-bit, fabricated by Renesas’s

high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0816BGBG has realized higher density, higher

performance and low power consumption. The RMLV0816BGBG offers low power standby power dissipation;

therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 48-ball fine pitch ball grid array.

特性 Features

? Single 3V supply: 2.4V to 3.6V

? Access time:

── Power supply voltage from 2.7V to 3.6V: 45ns (max.)

── Power supply voltage from 2.4V to 2.7V: 55ns (max.)

? Current consumption:

── Standby: 0.45μA (typ.)

? Equal access and cycle times

? Common data input and output

── Three state output

? Directly TTL compatible

── All inputs and outputs

? Battery backup operation

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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