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PZM8.2NB3

Voltage regulator diodes

DESCRIPTION LowpowergeneralpurposevoltageregulatordiodeinaSOT346(SC59)plasticpackage,suitableforsurface mounteddesign. FEATURES ?Totalpowerdissipation:max.300mW ?Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign ?Wideworkingvoltagerange:nom.

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

HZM8.2NB3

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RENESAS

HZM8.2NB3

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer

Features ?Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. ?MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RENESAS

HZS8.2NB3

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RENESAS

PZT2222AT1G

ON SEMICONDUCTOR
SOT-223

ON SEMICONDUCTOR

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PZM8.2NB3

  • 功能描述：

    穩(wěn)壓二極管 DIODE ZENER TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 齊納電壓：

    12 V

  • 電壓容差：

    5 %

  • 電壓溫度系數(shù)：

    0.075 %/K

  • 功率耗散：

    3 W

  • 最大反向漏泄電流：

    3 uA

  • 最大齊納阻抗：

    7 Ohms

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DO-214AC

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝現(xiàn)貨特價銷售,歡迎來電查詢
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更多PZM8.2NB3供應(yīng)商 更新時間2025-8-1 11:03:00

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