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PXFC211507SCV1R250分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PXFC211507SCV1R250 |
| 參數(shù)屬性 | PXFC211507SCV1R250 封裝/外殼為H-37248G-4/2；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz |
| 封裝外殼 | H-37248G-4/2 |
| 文件大小 |
201.27 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-27 23:01:00 |
| 人工找貨 | PXFC211507SCV1R250價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多PXFC211507SCV1R250規(guī)格書詳情
PXFC211507SCV1R250屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PXFC211507SCV1R250晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PXFC211507SCV1R250XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
2.11GHz ~ 2.17GHz
- 增益：
20.4dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 封裝/外殼：
H-37248G-4/2
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-37248G-4/2
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
24+ |
NA/ |
19765 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
MURATA/村田 |
24+ |
ROHS |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
MURATA |
ROHS |
56520 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
MURATA/村田 |
15+ |
DIP |
30965 |
詢價(jià) | |||
Infineon/英飛凌 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) | ||
TDK |
1738+ |
SMD |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ERIC1SSON |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
MURATA/村田 |
23+ |
ROHS |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
415 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) |
