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PTVA093002TCV1R250分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTVA093002TCV1R250
廠商型號(hào)

PTVA093002TCV1R250

參數(shù)屬性

PTVA093002TCV1R250 封裝/外殼為H-37248G-4/2;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 300 W, 50 V, 703 ??960 MHz
IC AMP RF LDMOS

封裝外殼

H-37248G-4/2

文件大小

210.51 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-14 11:10:00

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PTVA093002TCV1R250規(guī)格書詳情

PTVA093002TCV1R250屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTVA093002TCV1R250晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTVA093002TCV1R250XUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 增益:

    18.5dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    300W

  • 封裝/外殼:

    H-37248G-4/2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-49248H-4

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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