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PTFA211801E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
PTFA211801E |
參數(shù)屬性 | PTFA211801E 封裝/外殼為H-36260-2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET |
封裝外殼 | H-36260-2 |
文件大小 |
826.16 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon |
中文名稱 | 英飛凌 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-3 20:00:00 |
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PTFA211801E規(guī)格書詳情
PTFA211801E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA211801E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
PTFA211801E V4 R250
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.14GHz
- 增益:
15.5dB
- 額定電流(安培):
10μA
- 功率 - 輸出:
35W
- 封裝/外殼:
H-36260-2
- 供應(yīng)商器件封裝:
H-36260-2
- 描述:
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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