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PTFA091201FV4R250XTMA1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTFA091201FV4R250XTMA1 |
| 參數(shù)屬性 | PTFA091201FV4R250XTMA1 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
| 封裝外殼 | 2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭 |
| 文件大小 |
8.75884 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-8 10:30:00 |
| 人工找貨 | PTFA091201FV4R250XTMA1價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PTFA091201FV4R250XTMA1規(guī)格書詳情
PTFA091201FV4R250XTMA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA091201FV4R250XTMA1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PTFA091201FV4R250XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
960MHz
- 增益：
19dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
110W
- 封裝/外殼：
2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-37248-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
H372482 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
NA |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H372482 |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
469 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-37248-2 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |
