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PTF180101M數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號

PTF180101M

參數(shù)屬性

PTF180101M 封裝/外殼為10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬);包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

功能描述

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 1.0 – 2.0 GHz
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

封裝外殼

10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-15 16:33:00

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PTF180101M規(guī)格書詳情

簡介

PTF180101M屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTF180101M晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTF180101M V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GOLDMOS?

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.99GHz

  • 增益:

    16.5dB

  • 額定電流(安培):

    1μA

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-RFP-10

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
23+
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原廠封裝
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長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談
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