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PTF080901F數(shù)據(jù)手冊(cè)Infineon中文資料規(guī)格書

廠商型號(hào) |
PTF080901F |
功能描述 | LDMOSRF Power Field Effect Transistor 90 W, 869–960 MHz |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-17 11:12:00 |
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PTF080901F規(guī)格書詳情
描述 Description
The PTF080901 is a 90 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.
特性 Features
? Broadband internal matching
? Typical EDGE performance
- Average output power = 45 W
- Gain = 18 dB
- Efficiency = 40%
? Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 120 W
- Gain = 17 dB
- Efficiency = 60%
? Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)
? Excellent thermal stability
? Low HCI drift
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 90 W (CW) output power
技術(shù)參數(shù)
- 型號(hào):
PTF080901F
- 制造商:
INFINEON
- 制造商全稱:
Infineon Technologies AG
- 功能描述:
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
24+ |
高頻 |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價(jià) | ||
INFINON |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
INF |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
高頻 |
8500 |
原廠原包原裝公司現(xiàn)貨,假一賠十,低價(jià)出售 |
詢價(jià) | ||
24+ |
3000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||||
Infineon(英飛凌) |
21+ |
高頻 |
370 |
原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
NA |
5500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
長(zhǎng)期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
19600 |
一站式BOM配單 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
TO-63 |
7000 |
詢價(jià) |