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TS8514VB

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

TS8514VB-SD-F

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedandass

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TS8514VB-SD-F

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES ?Packagetype:chip ?Packageform:singlechip ?Technology:surfaceemitter ?Dimensionschip(LxWxH

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威世科技威世科技半導體

TS8514VB-SF-F

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

VishayVishay Siliconix

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DFN5060-8L
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NXP-2018
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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更多PSMPSMR8514K供應商 更新時間2025-7-23 8:50:00

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