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PSMN6R0-30YLB中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN6R0-30YLB
廠商型號

PSMN6R0-30YLB

功能描述

N-channel 30 V 6.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology

文件大小

915.61 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-31 23:01:00

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PSMN6R0-30YLB規(guī)格書詳情

1.1 General description

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

? High reliability Power SO8 package,

qualified to 175°C

? Low parasitic inductance and

resistance

? Optimised for 4.5V Gate drive utilising

NextPower Superjunction technology

? Ultra low QG, QGD, & QOSS for high

system efficiencies at low and high

loads

1.3 Applications

? DC-to-DC converters

? Load switching

? Synchronous buck regulator

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PSMN6R0-30YLB

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30 V 6.5 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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