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PSMN4R2-60PL中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN4R2-60PL
廠商型號

PSMN4R2-60PL

功能描述

N-channel 60 V, 3.9 mΩ logic level MOSFET in SOT78

絲印標(biāo)識

PSMN4R2-60PL

封裝外殼

SOT78

文件大小

733.36 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 18:48:00

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PSMN4R2-60PL規(guī)格書詳情

1. General description

Logic level N-channel MOSFET in SOT78 using TrenchMOS technology. Product design

and manufacture has been optimized for use in battery operated power tools.

2. Features and benefits

? High efficiency due to low switching & conduction losses

? Robust construction for demanding applications

? Logic level gate

3. Applications

? Battery-powered tools

? Load switching

? Motor control

? Uninterruptible power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PSMN4R2-60PL

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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