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PSMN3R9-100YSF中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN3R9-100YSF
廠商型號

PSMN3R9-100YSF

功能描述

NextPower 100 V, 4.3 mOhm, 120 A, N-channel MOSFET in LFPAK56E package

絲印標(biāo)識

3F9S10J

封裝外殼

SOT1023

文件大小

310.75 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-7 23:01:00

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PSMN3R9-100YSF規(guī)格書詳情

1. General description

NextPower 100 V, standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for

industrial and consumer applications.

2. Features and benefits

? Low Qrr for higher efficiency and lower spiking

? 120 A ID (max) – demonstrated continuous current rating

? Low QG × RDSon FOM for high efficiency switching applications

? Strong avalanche energy rating (Eas)

? Avalanche rated and 100 tested

? Ha-free and RoHS compliant LFPAK56E package

3. Applications

? Synchronous rectifier in AC-DC and DC-DC

? Primary side switch – 48 V DC-DC

? BLDC motor control

? USB-PD adapters

? Full-bridge and half-bridge applications

? Flyback and resonant topologies

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