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PSMN2R0-30YL中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
PSMN2R0-30YL |
| 功能描述 | N-channel 30 V 2 mΩ logic level MOSFET in LFPAK |
| 文件大小 |
828.81 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱 | 安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-25 15:24:00 |
| 人工找貨 | PSMN2R0-30YL價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PSMN2R0-30YL規(guī)格書(shū)詳情
1.1 General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in
industrial and communications applications.
1.2 Features and benefits
High efficiency due to low switching
and conduction losses
Suitable for logic level gate drive
sources
1.3 Applications
Class-D amplifiers
DC-to-DC converters
Motor control
Server power supplies
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
PSMN2R0-30YL
- 功能描述：
MOSFET <=30V N CH TRENCHFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
SOT669 |
8560 |
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詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
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80000 |
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恩XP |
24+ |
SMD |
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恩XP |
22+ |
SOT-669 |
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原裝正品 |
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恩XP |
20+ |
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恩XP |
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