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PSMN1R4-100CSF	文件：378.85 Kbytes Page：13 Pages	Marking：XP1F4S10C；Package：CCPAK1212i；NextPower 100 V, 1.35 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package 1.Generaldescription NextPower100V,standardlevelgatedriveMOSFET.Qualifiedto175°Candrecommendedfor highpowerindustrialandconsumerapplications. 2.Featuresandbenefits ?LowQrrforhigherefficiencyandlowerspiking ?355AmpsID(max)continuouscurrentrating ?LowQ	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PSMN1R4-100ASE	文件：405.56 Kbytes Page：13 Pages	N-channel,100V,1.36mOhm,MOSFETwithenhancedSOAinCCPAK1212package 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeMOSFETinaCCPAK1212packagequalifiedto175°C. PartofNexperia'sApplicationSpecificMOSFETs(ASFETs)forHotswapandSoftStart.The PSMN1R4-100ASEdeliversverylowRDSonandenhancedsafeoperatingareaperformanceina high-reliabilit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PSMN1R4-100CSE	文件：382.93 Kbytes Page：13 Pages	N-channel,100V,1.42mOhm,MOSFETwithenhancedSOAinCCPAK1212ipackage 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeMOSFETinaCCPAK1212ipackagequalifiedto175°C. PartofNexperia'sApplicationSpecificMOSFETs(ASFETs)forHotswapandSoftStart.The PSMN1R4-100CSEdeliversverylowRDSonandenhancedsafeoperatingareaperformanceina high-reliabili	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

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1.Generaldescription NextPower100V,standardlevelgatedriveMOSFET.Qualifiedto175°Candrecommendedfor highpowerindustrialandconsumerapplications. 2.Featuresandbenefits ?LowQrrforhigherefficiencyandlowerspiking ?355AmpsID(max)continuouscurrentrating ?LowQ

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1.Generaldescription N-channelenhancementmodeMOSFETinaCCPAK1212ipackagequalifiedto175°C. PartofNexperia'sApplicationSpecificMOSFETs(ASFETs)forHotswapandSoftStart.The PSMN1R4-100CSEdeliversverylowRDSonandenhancedsafeoperatingareaperformanceina high-reliabili

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