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PSMN063-150D中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
PSMN063-150D |
功能描述 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
文件大小 |
279.88 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | PHI |
中文名稱 | 飛利浦 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-7 18:25:00 |
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PSMN063-150D規(guī)格書詳情
描述 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS1 technology.
特性 Features
■ TrenchMOS? technology
■ Very low on-state resistance
■ Fast Switching
■ Low thermal resistance
Applications
■ DC to DC converters
■ Switched mode power supplies
產(chǎn)品屬性
- 型號:
PSMN063-150D
- 功能描述:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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